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IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
20
I D = 14A
1000
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
SHORTED
16
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
12
Coss
8
100
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
10
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
SEE FIGURE 13
40 50
60
T J = 175 C
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
°
T J = 25 ° C
1
1000
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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